[发明专利]场发射器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710186971.X | 申请日： | 2007-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101183633A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 崔濬熙;裵民钟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场发射器件的制造方法，包括：在基板上依次形成阴极和光阻挡层，并构图所述光阻挡层以形成阻挡层孔；在所述光阻挡层上依次形成绝缘层和栅极材料层，并构图所述栅极材料层以形成栅电极，在所述栅电极中形成栅电极孔；在所述栅电极上涂覆光致抗蚀剂，并曝光和显影所述光致抗蚀剂以在所述栅电极孔内形成抗蚀剂孔；各向同性地蚀刻通过所述抗蚀剂孔暴露出的绝缘层的部分从而形成绝缘层孔；蚀刻通过所述绝缘层孔暴露出的栅电极的部分，以形成栅极孔，并除去所述光致抗蚀剂；和在通过所述阻挡层孔暴露的阴极电极上形成发射器。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射器件的制造方法，所述方法包括步骤：在基板上依次形成阴极和光阻挡层，并构图所述光阻挡层以形成暴露所述阴极的阻挡层孔；在所述光阻挡层上依次形成绝缘层和栅极材料层，并构图所述栅极材料层以形成栅电极，在所述栅电极中形成暴露所述阻挡层孔上方的绝缘层部分的栅电极孔；在所述栅电极上涂覆光致抗蚀剂从而覆盖所述栅电极孔，并曝光和显影所述光致抗蚀剂以在所述栅电极孔内形成抗蚀剂孔，所述抗蚀剂孔在形状上对应于所述阻挡层孔并暴露部分所述绝缘层；各向同性地蚀刻通过所述抗蚀剂孔暴露出的绝缘层部分直到暴露所述阻挡层孔，从而形成绝缘层孔；蚀刻通过所述绝缘层孔暴露出的栅电极部分从而形成栅极孔，并除去所述光致抗蚀剂；和在通过所述阻挡层孔暴露的阴极上形成发射器。
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