[发明专利]提高闪存介质读写速度的方法有效
申请号: | 200710187526.5 | 申请日: | 2007-11-21 |
公开(公告)号: | CN101441596A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 万红波 | 申请(专利权)人: | 深圳市朗科科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 胡海国;王艳春 |
地址: | 518057广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提出一种提高闪存介质读写速度的方法,包括步骤:计算偏移量;根据偏移量对数据操作进行偏移处理;执行数据操作。本发明提供的提高闪存介质读写速度的方法能根据文件系统(例如fat16,fat32,ntfs等)把闪存介质的最小写入单位页与文件系统的最小写入单位簇对齐,让每个簇由多个页组成,实现对闪存介质读写数据时,明显提高读写速度,特别是写的速度,并且避免大量碎片的产生,而无需改变闪存介质硬件结构,也无需改变文件系统,易于实现。 | ||
搜索关键词: | 提高 闪存 介质 读写 速度 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种提高闪存介质读写速度的方法,包括步骤:计算偏移量;根据偏移量对数据操作进行偏移处理;执行数据操作。
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