[发明专利]提高闪存介质读写速度的方法有效
| 申请号： | 200710187526.5 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101441596A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 万红波 | 申请（专利权）人： | 深圳市朗科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 胡海国;王艳春 |
| 地址： | 518057广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种提高闪存介质读写速度的方法，包括步骤：计算偏移量；根据偏移量对数据操作进行偏移处理；执行数据操作。本发明提供的提高闪存介质读写速度的方法能根据文件系统(例如fat16，fat32，ntfs等)把闪存介质的最小写入单位页与文件系统的最小写入单位簇对齐，让每个簇由多个页组成，实现对闪存介质读写数据时，明显提高读写速度，特别是写的速度，并且避免大量碎片的产生，而无需改变闪存介质硬件结构，也无需改变文件系统，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 闪存 介质 读写 速度 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种提高闪存介质读写速度的方法，包括步骤：计算偏移量；根据偏移量对数据操作进行偏移处理；执行数据操作。
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