[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710187992.3 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101183646A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | S·戈文达拉詹 | 申请（专利权）人： | 奇梦达北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/283;H01L21/02;H01L29/51;H01L29/92;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 披露了半导体器件及其制造方法。优选的实施例包括形成材料层的方法。该方法包括形成第一材料的至少一个第一层，以及在第一材料的至少一个第一层之上形成第二材料的至少一个第二层。第一材料包括Hf、Zr或La的氧化物或硅酸盐。第二材料包括Hf、Zr或La的氮氧化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成材料层的方法，所述方法包括：形成第一材料的至少一个第一层，所述第一材料包括Hf、Zr或La的氧化物或硅酸盐；以及在所述第一材料的所述至少一个第一层之上，形成第二材料的至少一个第二层，所述第二材料包括Hf、Zr或La的氮氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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