[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710188249.X | 申请日： | 2007-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101188204A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 山野孝治 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/78;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体芯片，其上形成有电极片；电连接部件，其形成于所述电极片上；绝缘层，其形成于所述半导体芯片上；以及导电图案，其与所述电连接部件连接。在所述导电图案中形成有与所述电连接部件对应的开口部分。所述导电图案通过填入所述开口部分中的导电膏与所述电连接部件电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：第一步骤，在电极片上形成电连接部件，所述电极片形成于与基板上的半导体芯片对应的区域中；第二步骤，在所述基板上形成绝缘层和第一导电层；第三步骤，通过对所述第一导电层进行图案蚀刻来形成导电图案，并且露出所述电连接部件；第四步骤，通过导电膏电连接所述导电图案与所述电连接部件；以及第五步骤，将所述基板切割成单独的小块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
