[发明专利]粗颗粒立方氮化硼单晶的合成方法无效

专利信息
申请号: 200710190000.2 申请日: 2007-11-16
公开(公告)号: CN101234317A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 覃连才;张铁臣;宋家起;张辉建 申请(专利权)人: 河南黄河实业集团股份有限公司
主分类号: B01J3/06 分类号: B01J3/06;C30B29/38;C01B35/14
代理公司: 郑州科维专利代理有限公司 代理人: 张欣棠;张国文
地址: 461500*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及一种粗颗粒立方氮化硼(CBN)单晶(峰值40/45,最粗粒达25/30)的合成方法,该种CBN单晶常被用于深吃刀量的高效率粗磨加工中,使用G.·I=2-4的六角氮化硼(hBN)重量比80-90%与重量比10-20%的触媒充分混合均匀,并一起放入模具中压制成预合成棒,该预合成棒与碳管、碳片、导电钢圈、叶腊石块组装成预合成块,在六面顶压机上,保持压力4-6GPa,温度1500-2000℃,时间20-25分钟合成即可得到粗颗粒单晶,本发明可制造粗颗粒CBN单晶:峰值40/45,最粗粒达25/30,该种CBN单晶用于深吃刀量粗磨加工中,为高效率粗磨加工提供客观条件。
搜索关键词: 颗粒 立方 氮化 硼单晶 合成 方法
【主权项】:
1、一种粗颗粒立方氮化硼单晶的合成方法,其特征在于:使用G.·I=2-4的六角氮化硼(hBN)重量比80-90%与重量比10-20%的触媒充分混合均匀,并一起放入模具中压制成预合成棒,该预合成棒与碳管、碳片、导电钢圈、叶腊石块组装成预合成块,在六面顶压机上,保持压力4-6GPa,温度1500-2000℃,时间20-25分钟合成即可得到粗颗粒单晶。
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