[发明专利]InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法有效
| 申请号： | 200710191199.0 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101179015A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 谢自力;张荣;韩平;王荣华;刘斌;修向前;赵红;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。 | ||
| 搜索关键词： | inn 材料 衬底 缓冲 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜的制备方法，其特征是利用InN材料做衬底或先在其它衬底上生长的InN材料作缓冲层或支撑层材料，并在200-1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜，以金属有机源，金属源或其它半导体材料为生长源，生长过程中通入一定流量的N2气或H2气作为载气。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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