[发明专利]p型铜铁矿基氧化物臭氧气敏半导体材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200710191278.1 | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101308109A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 邓赞红;方晓东;陶汝华;董伟伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;H01L21/00 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型铜铁矿基氧化物臭氧气敏半导体材料及其制备方法，该臭氧气敏半导体材料是p型铜铁矿基氧化物CuM1－xAxO2，0≤x≤0.30，或是上述一种及一种以上材料的任意比例混合物，M是B、Al、Ga、In、Fe、Cr、Sc、Y或La等三价金属离子；A是Mg、Ca、Ni、Sr和Zn的正二价金属离子。本发明气敏材料在室温下对臭氧的响应具有良好的选择性、可逆性和稳定性，由本发明气敏材料所制成的气敏元件不需携带加热器，室温下对臭氧气体在1ppm至1000ppm浓度范围内均有良好的敏感特性。本发明能提供一种功耗低、寿命长、造价低廉的室温臭氧气敏元件。 | ||
| 搜索关键词： | 铁矿 氧化物 臭氧 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、p型铜铁矿基氧化物臭氧气敏半导体材料，其特征在于该臭氧气敏半导体材料是p型铜铁矿基氧化物CuM1-xAxO2，0≤x≤0.30，或是上述一种及一种以上材料的任意比例混合物，M是B、Al、Ga、In、Fe、Cr、Sc、Y或La等三价金属离子；A是Mg、Ca、Ni、Sr和Zn的正二价金属离子。
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