[发明专利]无负阻LDMOS器件结构及其生产方法有效
| 申请号： | 200710191983.1 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101217161A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王佃利 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是无负阻LDMOS器件结构及其生产方法，该结构包括沟道区、漂移区、源漏区，在有源区边界用一高浓度的浓硼区将LDMOS器件漂移区包围起来，该浓硼区与漂移区在有源区边界形成一个P+N－二极管，该二极管击穿电压比器件有源区内部本征击穿电压略低。当漏端电压高于该二极管的击穿电压时，该二极管首先击穿，提供一个击穿电流通路，这样器件内部有源区就不会进入击穿区，寄生双极晶体管也就无法进入负阻状态，从而起到保护器件的作用，同时该包围漂移区的高浓度浓硼区也起到隔离有源区的作用，可以有效降低漏源漏电流。在不增加工艺的情况下有效抑制硅LDMOS器件中寄生双极晶体管的负阻效应。 | ||
| 搜索关键词： | 无负阻 ldmos 器件 结构 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.无负阻LDMOS器件结构，其特征是包括沟道区、漂移区、源漏区，在有源区边界用一高浓度的浓硼区将LDMOS器件漂移区包围起来，该浓硼区与漂移区在有源区边界形成一个P+N-二极管，该二极管击穿电压比器件有源区内部本征击穿电压略低。
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