[发明专利]一种真空多弧离子镀膜机智能一体化控制器无效
申请号: | 200710192634.1 | 申请日: | 2007-12-18 |
公开(公告)号: | CN101182634A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 凌云;黄浪尘 | 申请(专利权)人: | 湖南冶金职业技术学院 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/50;G05B15/02 |
代理公司: | 株洲市美奇知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张继纲 |
地址: | 412011*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种真空多弧离子镀膜机智能一体化控制器,它包括单片机、触摸显示单元、A/D转换单元、D/A转换单元、放大器单元、驱动单元、继电器单元和开关量输入单元。该控制器可由现场操作者通过触摸显示屏输入制定的镀膜生产工艺,控制器按照工艺流程,通过控制真空多弧离子镀膜机的真空压强、电弧源电流、镀膜室温度、工件负偏压、充气流量以及真空泵、电磁阀门等设备,实现镀膜机的智能一体化控制,使真空镀膜工艺得到稳定,保证镀膜质量和设备安全。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 离子 镀膜 机智 一体化 控制器 | ||
【主权项】:
1.一种真空多弧离子镀膜机智能一体化控制器,它包括单片机(U1)、触摸显示单元(U2)、A/D转换单元(U3)、D/A转换单元(U4)、放大器单元(U5)、驱动单元(U6)、继电器单元(U7)和开关量输入单元(U8),其特征在于:所述单片机(U1)通过I/O接口与触摸显示单元(U2)连接,用于人机信息交换;所述单片机(U1)通过I/O接口与A/D转换单元(U3)连接,控制A/D转换器实时采集真空多弧离子镀膜机镀膜室温度、镀膜室真空压强、充气流量、工件负偏压、电弧源电流、电弧源电压的模拟量信息;所述单片机(U1)通过I/O接口与D/A转换单元(U4)连接,将控制量转换成电压信号,再由放大器单元(U5)进行电压、功率放大,控制真空多弧离子镀膜机镀膜室温度、镀膜室真空压强、充气流量、工件负偏压、电弧源电流及电弧源电压;所述单片机(U1)通过I/O接口输出开关信号实现引弧控制、真空泵启停控制、真空管路电磁阀门控制、充气阀门控制、工件旋转控制、电源控制及报警输出;所述单片机(U1)还通过I/O接口输入开关信号实现冷却水压力检测、关键真空压强点检测及紧急控制开关信号的输入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南冶金职业技术学院,未经湖南冶金职业技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710192634.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的