[发明专利]一种存储器单元和其装置以及制造方法有效
| 申请号： | 200710192800.8 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101188251A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种存储器单元和其装置以及制造方法，其中的存储器单元包含：具有大于3纳米的有效氧化物厚度的隧穿势垒介电结构；位于隧穿势垒介电结构上的导电层；位于导电层上的电荷捕获结构；位于电荷捕获结构上的顶部介电结构；以及位于顶部介电结构上的顶部导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 单元 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元，其特征在于，包括：一多层堆叠，包括：一隧穿势垒介电结构，具有大于3纳米的有效氧化物厚度的隧穿势垒；一导电层，位于所述隧穿势垒介电结构上；一电荷捕获结构，位于所述导电层上；以及一顶部介电结构，位于所述电荷捕获结构上；以及一顶部导电层，位于所述顶部介电结构上。
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