[发明专利]半导体集成电路及其制造方法无效
| 申请号： | 200710193324.1 | 申请日： | 2007-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101192609A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 深水新吾;锅岛有;西野英树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/522;H01L23/485;H01L21/822;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路，具有能够缓和因检查时的探测的机械上的力学压力，或组装中的引线接合所引起的机械上的力学压力所产生的应力的结构。该半导体集成电路，具有：形成在半导体基板(100)上的功率晶体管(100A)；形成在功率晶体管(100A)的正上方，且作为功率晶体管的第1电极与第2电极起作用的多个第1金属图案与多个第2金属图案；与多个第1金属图案电连接的第1总线(140)；与第2金属图案电连接的第2总线(150)；以及在第1总线(140)与第2总线(150)逐一设置的接触焊盘(304)，第1总线(140)与第2总线(150)各自中，至少形成有1个细缝(10a)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，具有：形成在半导体基板上的集成化的功率晶体管；形成在所述功率晶体管上的层间绝缘膜；至少1个以上的第1金属图案，由在所述层间绝缘膜中且在所述功率晶体管的正上方形成的第1金属层构成，作为所述功率晶体管的第1电极发挥功能；至少1个以上的第2金属图案，由所述第1金属层构成，作为所述功率晶体管的第2电极发挥功能；单个的第1总线，由在所述层间绝缘膜中且在所述第1金属层的正上方形成的第2金属层构成，与所述至少1个以上的第1金属图案电连接；单个的第2总线，由所述第2金属层构成，与所述至少1个以上的第2金属图案电连接；以及，接触焊盘，对所述第1总线与所述第2总线逐一设置，所述第1总线与所述第2总线的各个中，形成有至少1个细缝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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