[发明专利]半导体集成电路

摘要

本发明的集成电路，包括：第一导电型的第一阱；在栅极长度方向延伸的阱边界中与第一阱相接的第二导电型的第二阱；具有设置在所述第一阱内的第二导电型的第一活性区的第一晶体管；设置在所述第一阱内，具有与第一活性区在栅极宽度方向的长度不同的第二导电型的第二活性区的第二晶体管。第一活性区的栅极宽度方向的中心位置以阱边界为基准，与第二活性区的栅极宽度方向的中心位置一致。从而提供了一种能高精度且高效率进行模拟的半导体集成电路。

主权项

1.一种半导体集成电路，包括：设置在基板内的第一导电型的第一阱区；设置在所述基板内，在栅极长度方向延伸的阱边界中与所述第一阱区相接的第二导电型的第二阱区；设置在所述第一阱区内，具有第二导电型的第一源/漏区的第一活性区；以及设置在所述第一阱区内，具有第二导电型的第二源/漏区，并且与所述第一活性区在栅极宽度方向的长度不同的第二活性区；所述第一活性区的栅极宽度方向的中心位置，以所述阱边界为基准，与所述第二活性区的栅极宽度方向的中心位置一致。