[发明专利]岛状突起修饰部件及其制造方法和采用它的装置有效
| 申请号： | 200710193357.6 | 申请日： | 2003-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101174553A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 高桥小弥太;向后雅则;松永修 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/3065;C23C16/44;C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明在于在成膜装置、等离子体处理装置中，为防止因膜状物质剥离而造成膜或等离子体处理的制品的污染以及必须频繁地更换用于该装置的部件，提供一种岛状突起修饰部件及其制造方法和采用它的装置。该岛状突起修饰部件，用于成膜装置或者等离子体处理装置，其中，在部件的基材上，具有宽度在5～300μm的范围内、高度在2～200μm的范围内的岛状突起，该岛状突起由玻璃形成，其形状呈球状、球残缺的形状、半球状、吊钟形，或山形状，或者这些形状的两种以上的混合，该岛状突起的整体形状带有球体，各突起在基材上孤立，没有通过相互连接整体上形成膜，并且岛状突起的个数在20～5000个/mm2的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 突起 修饰 部件 及其 制造 方法 采用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种岛状突起修饰部件，用于成膜装置或者等离子体处理装置，其中，在部件的基材上，具有宽度在5～300μm的范围内、高度在2～200μm的范围内的岛状突起，该岛状突起由玻璃形成，其形状呈球状、球残缺的形状、半球状、吊钟形，或山形状，或者这些形状的两种以上的混合，该岛状突起的整体形状带有球体，各突起在基材上孤立，没有通过相互连接整体上形成膜，并且岛状突起的个数在20～5000个/mm2的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
