[发明专利]衬底处理器件无效
| 申请号： | 200710193455.X | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101174554A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 松原俊夫;上田聪;佐藤宏行;内岛秀人 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/31;C23C16/44;C23C16/455;B08B7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种衬底处理器件，能够抑制由于反应生成物附着在化学气相成长器件等中的成膜用气体淋浴器的气体孔内壁等，而造成的气体孔直径在每次重复进行成膜处理时变窄的现象，防止所形成的膜的膜厚度均匀性变差。包括：能够减压的反应室；设置在反应室内的衬底支撑部；设置在反应室的壁部、向反应室的内部导入气体的气体导入口；以及设置在反应室内的衬底支撑部和气体导入口之间、具有将从气体导入口向反应室内导入的气体分散的多个孔的板；多个孔的每个孔中的、气体的入口侧的尺寸均大于气体的出口侧的尺寸；多个孔的每个孔的内壁面的至少一部分相对于气体的流动方向的倾斜角度小于等于45°。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 器件 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理器件，其特征在于：包括：能够减压的反应室；设置在上述反应室内的衬底支撑部；设置在上述反应室的壁部、向上述反应室的内部导入气体的气体导入口；以及设置在上述反应室内的上述衬底支撑部和上述气体导入口之间、具有将从上述气体导入口向上述反应室内导入的上述气体分散的多个孔的板；上述多个孔的每个孔中的、上述气体的入口侧的尺寸均大于上述气体的出口侧的尺寸；上述多个孔的每个孔的内壁面的至少一部分相对于上述气体的流动方向的倾斜角度小于等于45°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
