[发明专利]内建电容耦合效应补偿功能的装置及方法无效
申请号: | 200710194062.0 | 申请日: | 2007-11-30 |
公开(公告)号: | CN101452131A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 邱莛宸;吴许合;方文振;曾俊钦 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G09G3/36;G02F1/1362 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王 英 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明披露一种内建电容耦合效应补偿功能的电子装置,其包含第一基板、共用电极、第二基板、耦合撷取结构和补偿电路。共用电极配置于第一基板之上。耦合撷取结构配置于第二基板之上,用以输出一耦合撷取电压;此耦合撷取电压包含一直流电压成分和一非直流电压成分。补偿电路用以接收耦合撷取电压和一第二共用电压,并输出一工作共用电压,此工作共用电压施加至前述的共用电极。本发明还包含一种补偿电子装置电容耦合效应的方法。 | ||
搜索关键词: | 电容 耦合 效应 补偿 功能 装置 方法 | ||
【主权项】:
1、一种内建电容耦合效应补偿功能的电子装置,包含:一第一基板;一共用电极,配置于所述第一基板之上;一第二基板,以接收一第一共用电压;一耦合撷取结构,配置于所述第二基板之上,以输出一耦合撷取电压;以及一补偿电路,用以接收所述耦合撷取电压并输出一工作共用电压至所述共用电极。
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