[发明专利]静电放电防护电路

摘要

本发明公开了一种ESD防护电路，包括基板、二极管元件、第一骤回元件、环网结构、第二骤回元件以及控制电路。二极管元件形成于基板中，且二极管元件具有第一端以及第二端，第一端连接至该输入垫。第一骤回元件形成于基板中，且第一骤回元件包括连接至第二端的第一重离子掺杂区、相互连接的第二重离子掺杂区和第一栅极，且第一端与第二重离子掺杂区之间形成寄生SCR。环网结构形成于基板中，且环网结构的第三重离子掺杂区位于二极管元件和第二重离子掺杂区之间。第二骤回元件形成于基板上，且第二骤回元件具有相互连接的第二重离子掺杂区和第二栅极以及第三重离子掺杂区。控制电路连接至第三重离子掺杂区，用以在正常操作中防止基板的寄生SCR导通。

主权项

1.一种静电放电防护电路，连接至一输入垫，该静电放电防护电路包括：基板；二极管元件，形成于该基板中，该二极管元件具有第一端以及第二端，其中该第一端连接至该输入垫；第一骤回元件，形成于该基板中，该第一骤回元件包括第一重离子掺杂区、第一栅极以及第二重离子掺杂区，其中该第一重离子掺杂区连接至该第二端，该第一栅极连接至该第二重离子掺杂区，且该基板中的该第一端与该第二重离子掺杂区之间形成一寄生硅控整流器；环网结构，形成于该基板中，该环网结构具有第三重离子掺杂区，位于该二极管元件以及该第二重离子掺杂区之间；第二骤回元件，形成于该基板上，该第二骤回元件具有该第二重离子掺杂区、第二栅极以及该第三重离子掺杂区，其中该第二栅极连接至该第二重离子掺杂区；以及控制电路，连接至该第三重离子掺杂区，用以在正常操作中防止该寄生硅控整流器导通。