[发明专利]制备太阳能级硅的方法无效
| 申请号： | 200710194412.3 | 申请日： | 2007-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101239722A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | T·F·麦努尔蒂;M·P·德埃夫林;J·T·莱曼;R·舒巴 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C01B33/025 | 分类号： | C01B33/025 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周铁;范赤 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种制备太阳能级硅的装置和方法。该方法包括提供包含颗粒和置于至少一些颗粒之上的涂层的起始材料，其中所述颗粒包含二氧化硅，所述涂层包含碳。该方法进一步包括加热起始材料形成中间产物，并进一步使中间产物反应以生成太阳能级硅。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 太阳 能级 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备硅的装置(20)，包括：外壳(22)，该外壳(22)包括具有限定室(28)的内表面(26)的壁(24)；邻近外壳(22)并且可操作以向室(28)提供热能的热能源；在装置的一端并与室(28)相连通以向室(28)中引入包含许多颗粒的二氧化硅源的二氧化硅源入口(46)；在装置的所述这一端并与室(28)相连通以向室(28)中引入烃物种的烃入口(48)；在装置的所述这一端并与室(28)相连通并通向室(28)外部的气体出口(50)，其可操作以将气体从室(28)内部排放到室(28)外部；和在装置的相对一端并与室(28)相连通并通向室(28)外部的硅出口(52)，其可操作以将生成的太阳能级硅排出。
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