[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

一种CMOS图像传感器，其包括：形成于半导体层上的外延层；形成于外延层上的器件隔离层，以将隔离层划分为有源区域和器件隔离区域；有源区域，其包括光电二极管区域和晶体管区域；驱动晶体管，其包括形成于外延层上的栅极以及形成于栅极两侧壁上的栅间隔垫；浮置扩散区域，其形成于外延层上；隧道孔，其形成于光电二极管区域和浮置扩散区域之间区域中的器件隔离层和外延层中；多晶硅线，其形成于从栅极延伸至驱动晶体管的隧道孔中；以及杂质扩散区，其通过离子注入栅间隔垫各侧上的外延层而形成。

主权项

1.一种互补型金属-氧化物-硅图像传感器，其特征在于，包括：外延层，其形成于半导体层上；形成于所述外延层上的器件隔离层，其将所述外延层划分为有源区域和器件隔离区域，所述有源区域包括光电二极管区域和晶体管区域；驱动晶体管，其包括形成于所述外延层上的具有侧壁的栅极以及形成于所述栅极所述两侧壁上的栅间隔垫；浮置扩散区域，其形成于所述外延层上；隧道孔，其形成于所述光电二极管区域和所述浮置扩散区域之间的所述器件隔离层和所述外延层中；多晶硅线，其形成于从所述栅极延伸至所述驱动晶体管的所述隧道孔中；以及杂质扩散区，其通过将掺杂剂离子注入所述栅极侧部上的所述外延层中形成，其中所述栅间隔垫形成于所述栅极的侧壁上。