[发明专利]具有EDMOS晶体管的半导体器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200710194887.2 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101211975A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 慎贤守 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有EDMOS晶体管的半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括在半导体基片中分离形成的源极和漏极区，填充在源极和漏极区之间的基片中形成的沟槽的第一栅极绝缘层，第一栅极绝缘层临近漏极区而与源极区分离，在第一栅极绝缘层和源极区之间的半导体基片之上形成的第二栅极绝缘层，第二栅极绝缘层薄于第一栅极绝缘层，在第一和第二栅极绝缘层之上形成的栅极，和在第一栅极绝缘层之下的基片中形成的掺杂漂移区，掺杂漂移区与漏极区接触。这减小EDMOS晶体管平面面积，由此实现高度集成半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 edmos 晶体管 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：在半导体基片中分离形成的源极区和漏极区；填充在所述源极和漏极区之间的半导体基片中形成的沟槽的第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层临近所述漏极区而与所述源极区分离；在所述第一栅极绝缘层和源极区之间的半导体基片之上形成的第二栅极绝缘层；在所述第一和第二栅极绝缘层之上形成的栅极；以及在所述第一栅极绝缘层之下的半导体基片中形成的掺杂漂移区，所述掺杂漂移区与所述漏极区接触。
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