[发明专利]CMOS图像传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种能够基本完全阻挡从外部入射的多余光线并防止热像素现象发生的CMOS图像传感器及其制备方法。CMOS图像传感器包括具有多个光电二极管的外延层。外延层可在主像素区和虚拟像素区之上形成，主像素区和虚拟像素区可在半导体基板之上限定。器件钝化层可通过在外延层之上沉积并平整化氧化物形成。氧化硅层可通过在器件钝化层之上沉积并平整化氧化硅形成。氧化硅层可具有在主像素区之上的凹凸型氧化物图案和在虚拟像素区之上的平坦氧化硅图案。多个暗矩阵元件可通过在氧化硅层之上相继堆叠双层和金属层形成。可执行平整化工艺，直到暴露凹凸型氧化物图案。可形成微透镜，以便微透镜与将要在主像素区和虚拟像素区形成的光电二极管对准。

主权项

1.一种方法，包括：在具有主像素区和虚拟像素区的半导体基板之上形成具有多个光电二极管的外延层；在所述外延层之上沉积并平整化氧化物以形成器件钝化层；在所述器件钝化层之上沉积并平整化氧化硅以形成氧化硅层；在所述主像素区之上构图所述氧化硅以形成凹凸结构；从多个暗矩阵元件形成暗矩阵图案，每个暗矩阵元件包括在形成所述氧化物图案的所述主像素区之上的双层和金属层；以及形成与在所述主像素区中的所述光电二极管对准的微透镜。