[发明专利]闪存器件无效
| 申请号： | 200710194894.2 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101211858A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 郑泰雄 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了涉及闪存器件和制造闪存器件的方法的实施例。根据实施例，方法包括在半导体衬底上形成器件隔离层以限定有源区，在有源区上形成浮置栅极图形，在器件隔离层上形成光刻胶图形以使光刻胶图形具有高于浮置栅极图形的侧壁，在光刻胶图形侧壁处形成间隙壁图形以使间隙壁图形部分覆盖浮置栅极图形，和使用间隙壁图形作为蚀刻掩模以预定深度蚀刻浮置栅极图形。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体衬底上方形成器件隔离层以限定有源区；在半导体衬底有源区上方形成浮置栅极图形；在器件隔离层上方形成光刻胶图形以使光刻胶图形具有高于浮置栅极图形的侧壁；在光刻胶图形侧壁上形成间隙壁图形以使间隙壁图形部分覆盖浮置栅极图形；以及使用间隙壁图形作为蚀刻掩模以预定深度蚀刻浮置栅极图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
