[发明专利]多比特电阻式存储器无效
| 申请号： | 200710195210.0 | 申请日： | 2007-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101221811A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·尼尔希 | 申请（专利权）人： | 奇梦达北美公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储器包括第一多比特电阻式存储单元和单比特电阻式存储单元。单比特电阻式存储单元用于存储表示是否反转存储在第一多比特电阻式存储单元中的数据的比特。 | ||
| 搜索关键词： | 比特 电阻 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，包括：第一多比特电阻式存储单元；以及单比特电阻式存储单元，用于存储表示是否反转存储在所述第一多比特电阻式存储单元中的数据的比特。
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