[发明专利]制造具有凹陷栅极的半导体器件的方法

摘要

本发明涉及制造具有凹陷栅极的半导体器件的方法，包括在衬底上形成具有第一绝缘层、第一导电层和第二绝缘层的堆叠结构的牺牲层，通过蚀刻牺牲层和衬底形成凹陷，在凹陷表面上形成栅极绝缘层，在凹陷中和在蚀刻的牺牲层之间填充第二导电层，在所得衬底上形成栅电极金属层、栅极硬掩模层和栅极掩模图案，通过使用栅极掩模图案蚀刻在栅极掩模图案下面形成的层直到暴露第一导电层，从而形成初始的栅极图案，在初始的栅极图案的侧壁和顶部上形成覆盖层，和通过使用覆盖层作为掩模蚀刻暴露的部分直到暴露第一绝缘层，从而形成最终的栅极图案。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成具有第一绝缘层、第一导电层和第二绝缘层的堆叠结构的牺牲层；通过蚀刻所述牺牲层和所述衬底形成凹陷；在所述凹陷的表面上形成栅极绝缘层；在所述凹陷中和在蚀刻的牺牲层之间的区域中填充第二导电层；在填充有所述第二导电层的所得衬底上形成栅电极金属层和栅极掩模图案；通过利用所述栅极掩模图案蚀刻在所述栅极掩模图案下面形成的层，直到暴露所述第一导电层，从而形成初始的栅极图案；在所述初始的栅极图案的侧壁和顶部上形成覆盖层；和通过利用所述覆盖层作为掩模蚀刻暴露的部分直到暴露出所述第一绝缘层，从而形成最终的栅极图案。