[发明专利]氮化物半导体衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 200710195385.1 | 申请日： | 2007-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101207174A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 金杜洙;李浩准;金容进;李东键 | 申请（专利权）人： | 斯尔瑞恩公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及诸如氮化镓衬底的氮化物半导体衬底以及用于制造该衬底的方法。本发明在基底衬底的下表面上形成多个沟槽，所述多个沟槽被构造成吸收或降低当在基底衬底上生长氮化物半导体薄膜时沿从基底衬底中心部分朝向周缘部分的方向施加得越来越大的应力。即，本发明在基底衬底的下表面上形成沟槽，以使沿从基底衬底的中心部分朝向周缘部分的方向，间距逐渐变小或者宽度或深度逐渐变大。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体衬底，包括：基底衬底；以及氮化物半导体薄膜，生长在所述基底衬底的表面上，其中，所述基底衬底的下表面具有沿第一方向彼此平行形成的多个第一沟槽，并且所述第一沟槽的间距沿从所述基底衬底的中心部分朝向周缘部分的方向逐渐变小。
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