[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200710195976.9 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101207032A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 吴龙护 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及一种半导体器件及其制造方法。在实施方式中，制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上执行第一等离子氮化；在第一栅绝缘层上形成第二栅绝缘层；在第二栅绝缘层上执行第二等离子氮化；在第二栅绝缘层上形成栅极金属材料；以及通过相继蚀刻栅极金属材料、第二栅绝缘层、以及第一栅绝缘层形成金属栅极图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体衬底上方形成第一栅绝缘层；对所述第一栅绝缘层执行第一等离子氮化；在所述第一栅绝缘层上方形成第二栅绝缘层；对所述第二栅绝缘层执行第二等离子氮化；在所述第二栅绝缘层上方形成栅极金属材料；以及通过蚀刻所述栅极金属材料、所述第二栅绝缘层、以及所述第一栅绝缘层形成金属栅极图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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