[发明专利]具有阻止反向电流功能的高边功率MOSFET开关管组有效
| 申请号： | 200710196045.0 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101453157A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 杨志江 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/00 | 分类号： | H02M1/00;H03K17/687 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东 |
| 地址： | 611731四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有阻止反向电流结构的高边功率MOSFET开关管组，包括第一功率MOSFET管，输入电压端，输出电压端，栅极驱动端，该开关管组进一步包括：第二功率MOSFET管，其中所述第一功率MOSFET管的栅极和所述第二功率MOSFET管的栅极连接，所述第一功率MOSFET管的衬底和所述第二功率MOSFET管的衬底连接，所述第二功率MOSFET管源极与衬底连接，所述第一功率MOSFET管源极与所述第二功率MOSFET管漏极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阻止 反向 电流 功能 功率 mosfet 开关 | ||
【主权项】：
1、一种具有阻止反向电流结构的高边功率MOSFET开关管组，包括第一功率MOSFET管，输入电压端，输出电压端，栅极驱动端，其特征在于，该开关管组进一步包括：第二功率MOSFET管，其中所述第一功率MOSFET管的栅极和所述第二功率MOSFET管的栅极连接，所述第一功率MOSFET管的衬底和所述第二功率MOSFET管的衬底连接，所述第二功率MOSFET管源极与衬底连接，所述第一功率MOSFET管源极与所述第二功率MOSFET管漏极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都芯源系统有限公司，未经成都芯源系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710196045.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：需求通信方法及系统
- 下一篇：手机中光传感器的应用方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
