[发明专利]双流体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法无效
申请号: | 200710196047.X | 申请日: | 2007-11-30 |
公开(公告)号: | CN101207015A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 宫城雅宏 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B05B5/08;B08B3/00;B08B3/02;B08B3/10 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及双流体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法。该基板处理装置具有向基板喷出作为处理液的纯水的液滴的双流体喷嘴,喷嘴具有内筒构件和外筒构件。气体在气体流路即内筒构件内流动,处理液在由内筒构件和外筒构件构成的处理液流路向下方流动。内筒构件的下端部的下方为混合区域,在混合区域处混合气体和处理液而生成微小的液滴,并从外筒构件下端的喷出口喷出。在气体流路内设置有第一电极,在处理液流路内设置有第二电极,通过在第一电极和第二电极之间施加电位差,从而在处理液感应出电荷,生成带电的液滴。在喷嘴,利用简单的结构就可以使第一电极远离处理液,并使液滴更高效地带电。 | ||
搜索关键词: | 双流 喷嘴 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双流体喷嘴,其向处理对象喷出处理液的液滴,其特征在于,该双流体喷嘴具有:处理液流经的处理液流路;气体流经的气体流路;液滴生成部,其将来自上述处理液流路的上述处理液和来自上述气体流路的上述气体相混合而生成液滴,并将上述液滴和上述气体一起向给定的喷出方向喷出;第一电极,其位于上述液滴生成部附近并设置在上述气体流路内;第二电极,其在上述处理液流路或上述液滴生成部内与上述处理液相接触,并在其与上述第一电极之间施加电位差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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