[发明专利]晶粒重新配置的封装结构中使用顺应层的制造方法有效

专利信息
申请号: 200710196102.5 申请日: 2007-11-28
公开(公告)号: CN101452863A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: 吴佩宪 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/485
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种晶粒重新配置的封装结构,包括:一晶粒,其一主动面上配置有多数个焊垫;一封装体是包覆晶粒的五个面;多数个高分子材料所形成的凸块结构,是以阵列方式配置于晶粒的主动面之上;多数个图案化的金属线段,其一端与晶粒的主动面上的多数个焊垫电性连接,另一端则以扇出方式延伸并覆盖于每一凸块结构之上;及一保护层,是用以覆盖每一图案化的金属线段及部份图案化的高分子材料层,并曝露出凸块及覆盖于凸块结构上的图案化的金属线段。
搜索关键词: 晶粒 重新 配置 封装 结构 使用 顺应 制造 方法
【主权项】:
1. 一种晶粒重新配置的封装方法,其特征在于,包括:提供多数个晶粒,每一该晶粒具有一主动面且该主动面上配置有多数个焊垫;取放所述多数个晶粒至一衬底上,每一该晶粒是以覆晶方式将该主动面与一配置于该衬底上的一粘着层连接;形成一高分子材料层于该衬底及部份所述多数个晶粒上;覆盖一模具装置至该高分子材料层上,以平坦化该高分子材料层,使该高分子材料层充满于所述多数个晶粒之间并包覆每一该晶粒;脱离该模具装置,以曝露出该高分子材料层的一表面;脱离该衬底,以曝露出每一该晶粒的该主动面以及每一该焊垫,以形成一封装体;形成一第一牺牲层以覆盖每一该晶粒的该主动面以及每一该焊垫;形成一第二牺牲层于该第一牺牲层之上;移除部份该第二牺牲层及该第一牺牲层以形成一阶梯状结构,且在相对于每一该晶粒的该主动面的所述多数个焊垫处形成多数个孔洞,以曝露出每一该焊垫;形成多数个图案化的金属线段在该第二牺牲层及该第一牺牲层之上,并使所述多数个图案化的金属线段的一端与每一该晶粒的该主动面上的所述多数个焊垫形成电性连接;形成一图案化的保护层,以覆盖所述多数个图案化金属线段的一部份并曝露出位于该第二牺牲层上的部份所述多数个图案化的金属线段;及切割该封装体,以形成多数个各自独立的完成封装的晶粒。
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