[发明专利]半导体芯片及半导体装置有效
申请号: | 200710196110.X | 申请日: | 2004-05-13 |
公开(公告)号: | CN101179058A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 谷田一真;根本义彦;田中直敬 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司;株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L25/00;H01L25/065 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体芯片,包括:具有表面及背面的半导体基板;在该半导体基板的所述表面形成的功能元件;以及与该功能元件电连接,配置在在该功能元件的侧面沿厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔内,并将所述半导体基板的所述表面侧及所述背面侧电连接的贯通电极,所述贯通电极,包括:具有形成至所述贯通孔深度方向的中途、以便塞住所述贯通孔的部分的籽晶层;配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述表面侧的表面侧电极;以及配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述背面侧的背面侧电极。 | ||
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【主权项】:
1.一种半导体芯片,其特征在于,包括:具有表面及背面的半导体基板;在该半导体基板的所述表面形成的功能元件;以及与该功能元件电连接,配置在在该功能元件的侧面沿厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔内,并将所述半导体基板的所述表面侧及所述背面侧电连接的贯通电极,所述贯通电极,包括:具有形成至所述贯通孔深度方向的中途、以便塞住所述贯通孔的部分的籽晶层;配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述表面侧的表面侧电极;以及配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述背面侧的背面侧电极。
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