[发明专利]相变化存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710196123.7 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101452992A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 涂丽淑 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种相变化存储装置，包括：一第一导电电极，设置于一第一介电层内；一第二介电层，设置于该第一介电层的一侧；一相变化材料层，埋设于该第二介电层内，该相变化材料层与该第一导电电极电连接；一空室，设置于该第二介电层内，介于该第二介电层与该相变化材料层侧壁之间，隔离该相变化材料层的一侧壁与其相邻的该第二介电层；以及一第二导电电极，堆叠于该相变化材料层的一侧，并与该相变化材料层电连接。本发明亦提供了一种相变化存储装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种相变化存储装置，包括：第一导电电极，设置于第一介电层内；第二介电层，设置于该第一介电层的一侧；相变化材料层，埋设于该第二介电层内，该相变化材料层与该第一导电电极电连接；空室，设置于该第二介电层内，介于该第二介电层与该相变化材料层侧壁之间，隔离该相变化材料层的侧壁与其相邻的该第二介电层；以及第二导电电极，堆叠于该相变化材料层的一侧，并与该相变化材料层电连接。
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