[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及基板处理方法无效
| 申请号： | 200710196168.4 | 申请日： | 2002-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101165876A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 村川惠美;松下实;尾﨑成则 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括下述工序：形成绝缘层的工序，在该绝缘层的一面侧具有槽，并且具有从所述槽的底部贯穿到另一面侧的孔，该绝缘层以硅为主成分而构成；屏障层形成工序，即，将所述槽和所述孔的内壁的表面曝露于含有氮的气体的等离子体中，在所述槽和所述孔的内壁的表面区域，形成由硅氮化膜形成的屏障层；和将由导体材料形成的布线层经所述屏障层埋入所述槽和所述孔的内侧的工序，所述含有氮的气体的等离子体，使用天线在含有氮的气体和氩气的混合气体中形成，利用所述氩气的混合比调整所述含有氮的气体的等离子体能量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 处理 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括下述工序：形成绝缘层的工序，在该绝缘层的一面侧具有槽，并且具有从所述槽的底部贯穿到另一面侧的孔，该绝缘层以硅为主成分而构成；屏障层形成工序，即，将所述槽和所述孔的内壁的表面曝露于含有氮的气体的等离子体中，在所述槽和所述孔的内壁的表面区域，形成由硅氮化膜形成的屏障层；和将由导体材料形成的布线层经所述屏障层埋入所述槽和所述孔的内侧的工序，所述含有氮的气体的等离子体，使用天线在含有氮的气体和氩气的混合气体中形成，利用所述氩气的混合比调整所述含有氮的气体的等离子体能量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
