[发明专利]保护膜的形成方法有效
| 申请号： | 200710196399.5 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101452706A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 上田国博;方宏新;王东;小西善之;上野智子;冈田繁信 | 申请（专利权）人： | 新科实业有限公司;株式会社岛津制作所 |
| 主分类号： | G11B5/255 | 分类号： | G11B5/255;G11B5/40;C23C16/27;C23C16/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供一种耐腐蚀性良好的薄膜保护膜的形成方法，根据该方法可以提供高品质的被保护体。本发明所涉及的在被保护体的至少一部分表面形成保护膜的方法，包括在所述被保护体的表面形成底膜的底膜形成工序及在该底膜上形成类金刚石碳膜的DLC膜形成工序；其中，在所述底膜形成工序中，反复进行在沉积规定膜厚的底膜之后再部分或全部除去该底膜的环节，从而在被保护体的表面多次形成底膜。而且，还包括在进行所述DLC膜形成工序之前进行的在所述形成类金刚石碳膜的底膜表面上形成绝缘层的绝缘层形成工序。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种保护膜的形成方法，将保护膜形成在被保护体的至少一部分表面上，其特征在于：该方法包括在所述被保护体的表面形成底膜的底膜形成工序；以及在所述底膜上形成类金刚石碳膜的DLC膜形成工序，其中，在所述底膜形成工序中，反复进行在沉积规定膜厚的底膜之后再部分或全部除去该底膜的环节，从而在被保护体的表面多次形成底膜。
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