[发明专利]在制造存储单元时产生微孔开口的方法有效
| 申请号： | 200710196460.6 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197422A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/82;G11C11/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在制造存储单元时生成微孔开口的方法。在基底层上形成上层，此基底层包括底电极。此上层包括此基底层上的第二层、以及此第二层上的第一层。微孔开口穿透此上层以暴露此下电极的表面、并生成第一存储单元子组件。此微孔开口包括第一上开口部分，其形成于此第一层之中、以及第二开口部分，其形成于此第二层之中，此第一与第二开口部分分别具有第一与第二宽度。此第一层具有凸悬部分延伸进入此开口，使得此第一宽度小于此第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 存储 单元 产生 微孔 开口 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在制造存储单元时生成微孔开口的方法，包括：形成基底层，其包括下电极；在所述基底层上形成上层，所述上层形成步骤包括在所述基底层上形成第二层、以及在所述第二层上形成第一层；以及形成微孔开口穿透所述上层以暴露所述下电极的表面、并生成第一存储单元子组件，所述微孔开口包括形成于所述第一层中的第一上开口部分、以及形成于所述第二层中的第二开口部分，所述第一与第二开口部分分别具有第一与第二宽度，所述第一层具有凸悬部分延伸进入所述第一微孔开口，使得所述第一宽度小于所述第二宽度。
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