[发明专利]固态成像装置无效
| 申请号： | 200710196479.0 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101202295A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 上村圣 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148;H04N5/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种固态成像装置，包括：像素阵列，包括沿电荷转移方向布置的多个光接收元件，所述多个光接收元件把光信号转换为电信号；设置在所述像素阵列的每一侧上的第一电荷转移单元和第二电荷转移单元，用于把从像素阵列输入的信号电荷沿所述电荷转移方向进行转移；第一浮置扩散区，与第一电荷转移单元相连；第二浮置扩散区，与第二电荷转移单元相连；配线层，把第一浮置扩散区与第二浮置扩散区相连；以及连接至所述配线层的输出电路，输出根据第一浮置扩散区和第二浮置扩散区的电势的信号电压。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像装置，包括：像素阵列，包括沿电荷转移方向布置的多个光接收元件，所述多个光接收元件把光信号转换为电信号；设置在所述像素阵列的每一侧上的第一电荷转移单元和第二电荷转移单元，用于把从像素阵列输入的信号电荷沿所述电荷转移方向进行转移；第一浮置扩散区，与第一电荷转移单元相连；第二浮置扩散区，与第二电荷转移单元相连；配线层，把第一浮置扩散区与第二浮置扩散区相连；以及连接至所述配线层的输出电路，根据第一浮置扩散区和第二浮置扩散区的电势，输出信号电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
