[发明专利]制造存储单元中的自收敛存储材料元件的方法

摘要

一种在制造一存储单元时生成的自收敛存储材料元件，包括具有一底电极的一基底层以及一上层，该上层具有一第三平坦化停止层于基底层之上、一第二层于第三层之上、以及一第一层于第二层之上。一微孔开口形成穿透此上层以将底电极外露。第一层具有一凸悬部份延伸进入开口中。一介电材料沉积于微孔开口中，以生成一自收敛空洞于此微孔开口中。一非等向性蚀刻形成了一介电材料侧壁于微孔开口中，一电极孔对准至此空洞而将底电极外露。一存储材料沉积于电极孔中而接触至底电极，并向下平坦化至第三层以生成此存储材料元件。

主权项

1.一种在制造一存储单元时用以生成一自收敛存储材料元件的方法，包括：形成一基底层，其包括一底电极；在所述基底层之上形成一上层，所述上层形成步骤包括在所述基底层之上形成一第三平坦化停止层、在所述第三层之上形成一第二层、以及在所述第二层之上形成一第一层；形成一微孔开口穿透所述上层以外露所述底电极的一表面、并生成一第一存储单元次组合，所述微孔开口包括形成于所述第一层中的一第一上开口部分、形成于所述第二层中的一第二开口部分、以及形成于所述第三层中的一第三开口部分，所述第一与第二开口部分分别具有第一与第二宽度，所述第一层具有一凸悬部分延伸进入所述开口以使得所述第一宽度短于所述第二宽度；沉积一介电材料于所述微孔开口中，以生成一第二存储单元次组合，包括在所述沉积介电材料中的一空洞，所述空洞为位于所述微孔开口内的一自收敛空洞；非等向性地蚀刻所述第二存储单元次组合，进而形成一介电材料侧壁于所述微孔开口中，且一电极孔对准至所述空洞并外露所述底电极；沉积一存储材料于所述电极孔中并使其接触至所述底电极，以生成一第三存储单元次组合；以及向下平坦化所述第三存储单元次组合至所述第三平坦化停止层，以生成一第四存储单元次组合，所述第四存储单元次组合包括有一由所述存储材料所构成的一存储材料元件，以及一平坦上表面，所述平坦上表面由所述存储材料元件、所述介电填充材料、以及所述第三层所定义。