[发明专利]用于具有负电压输入端子的集成电路的静电放电保护电路无效
申请号: | 200710196873.4 | 申请日: | 2007-12-07 |
公开(公告)号: | CN101197366A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 杨大勇;黄志丰 | 申请(专利权)人: | 崇贸科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60;H02H9/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 蒲迈文 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种静电放电(ESD)保护电路,其用于保护集成电路使其免受ESD损坏,并用于雷电浪涌保护。所述ESD保护电路包含第一骤回装置和第二骤回装置。在集成电路操作期间,第一骤回装置连接到集成电路的具有负电压的第一端子。所述第一骤回装置包含耦合到集成电路的第一端子的正极。所述第一骤回装置的负极耦合到所述集成电路的电源电压(VCC)端子。第二骤回装置具有耦合到所述VCC端子的负极。所述第二骤回装置的正极连接到所述集成电路的接地。所述骤回装置作为可控硅整流器(silicon-controlled rectifier,SCR),以保护所述集成电路。 | ||
搜索关键词: | 用于 具有 电压 输入 端子 集成电路 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】:
1.一种用于集成电路的静电放电保护电路,其特征是包括:第一骤回装置,其具有耦合到所述集成电路的第一端子的正极以及耦合到所述集成电路的电源电压端子的负极;以及第二骤回装置,其具有耦合到所述电源电压端子的负极以及耦合到所述集成电路的接地的正极,其中在所述集成电路的操作期间,所述第一端子具有负输入电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的