[发明专利]有机电激发光装置及其制造方法无效
申请号: | 200710197148.9 | 申请日: | 2007-12-05 |
公开(公告)号: | CN101452946A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 李石运;朴圣洙;陈家宏;陈韵升;邓德华 | 申请(专利权)人: | 奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82;H01L21/84;H01L21/31 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种有机电激发光装置,其具有基板,基板上具有多个像素结构,各像素结构具有第一区及第二区,且各像素结构包含至少二驱动元件、一有机电激发光元件及至少一绝缘层。驱动元件设置于基板上并位于第一区。有机电激发光元件具有第一电极并设置于基板的第二区上,第一电极与至少一驱动元件电性连接。绝缘层设置于第一电极与基板之间并位于第一区与第二区,其中绝缘层在第一区中的厚度大于在第二区中的厚度。 | ||
搜索关键词: | 机电 激发 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种有机电激发光装置,具有一基板,该基板上具有多个像素结构,各像素结构具有第一区及第二区,且各像素结构包含:至少二驱动元件,设置于该基板上并位于该第一区;一有机电激发光元件,具有第一电极并设置于该基板的该第二区上,该第一电极与至少一这些驱动元件电性连接;以及至少一绝缘层,设置于该第一电极与该基板之间并位于该第一区与该第二区,其中该绝缘层在该第一区中的厚度大于在该第二区中的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的