[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及成像设备有效
申请号: | 200710197172.2 | 申请日: | 2007-12-10 |
公开(公告)号: | CN101197387A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 秋山健太郎 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/822;H04N5/225;H04N5/335;H04N9/07 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开了一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和固态成像设备。该固态成像装置包括下述元件。光电转换部分设置在半导体层中,该半导体层具有光通过其进入光电转换部分的第一表面。信号电路部分设置在半导体层相对于第一表面的第二表面中。信号电路部分处理由光电转换部分的光电转换获得的信号电荷。反射层设置在半导体层相对于第一表面的第二表面上。反射层将传输通过光电转换部分的光反射回。反射层由单独的钨层或者包含钨层的叠层组成。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 以及 设备 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,包括:光电转换部分,设置在半导体层中,该半导体层具有光通过其进入该光电转换部分的第一表面;信号电路部分,设置在该半导体层相对于该第一表面的第二表面中,该信号电路部分处理由该光电转换部分的光电转换获得的信号电荷;和反射层,设置在该半导体层相对于该第一表面的该第二表面上,该反射层将传输通过该光电转换部分的光反射回,其中该反射层由单独的钨层或者包含钨层的叠层组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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