[发明专利]热汽泡式喷墨头芯片结构及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种热汽泡式喷墨头芯片结构及其制造方法。该热汽泡式喷墨头芯片结构，包括一基底层、一形成于基底层之上的氧化层和驱动电路，且驱动电路被氧化层所包围、一形成于驱动电路上方的介电层，并暴露驱动电路中的源极和漏极、一缓冲层形成于介电层的上方并覆盖驱动电路的源极和漏极、一形成于缓冲层之上并具有一加热区域的电阻层、一局部覆盖于电阻层上的导电层、以及一形成于导电层以及加热区域上方的保护层。本发明在介电层及电阻层之间加入一缓冲层，可以缓冲电阻层所产生的瞬间高温，减少加热区域下方的介电层所承受的热冲击效应，进而增加喷墨头芯片的使用寿命。

主权项

1、一种热汽泡式喷墨头芯片结构，其特征在于其包括：一基底层；一氧化层，形成于该基底层之上；至少一驱动电路，形成于该基底层之上，并被该氧化层所包围，其中该驱动电路包括一源极、一漏极与一栅极；一介电层，形成于该驱动电路之上，该介电层具有多数个开口，该些开口暴露出该源极与该漏极；一缓冲层，形成于该介电层之上并覆盖该源极和该漏极，并与该源极和该漏极电性连接；一电阻层，形成于该缓冲层之上，该电阻层具有至少一加热区域，该电阻层延伸至该源极和该漏极的上方，且该电阻层分别通过该缓冲层与该源极和该漏极电性连接；以及一导电层，形成于该电阻层之上，并暴露出该加热区域。