[发明专利]一种半导体器件无效
| 申请号： | 200710198800.9 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101359688A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 陈郁文;陈富信;黄宗义;蔡泳田 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包含位于衬底上的源极区和漏极区，其中源极区和漏极区掺杂第一种掺杂剂；在衬底上的源极区和漏极区之间形成的栅电极；在衬底上形成的栅间隙壁，栅间隙壁介于源极区和栅电极之间且紧邻栅电极；以及在栅间隙壁之中埋入的导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包含：源极区和漏极区，位于一衬底上，其中该源极区和该漏极区具有第一种掺杂剂；栅电极，形成于该衬底上，且介于该源极区和该漏极区之间；栅间隙壁，位于该衬底上，且介于该栅电极和该源极区之间，并紧邻该栅电极；以及导电结构，埋入该栅间隙壁之中。
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