[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件包括绝缘层(2)，以及被形成于绝缘层(2)上的，具有n沟道的n沟道MIS晶体管和具有p沟道的pMIS晶体管，其中n沟道MIS晶体管的n沟道是由具有沟道长度方向上单轴拉伸应变的Si层(10)形成，p沟道MIS晶体管的p沟道是由具有沟道长度方向上单轴压缩应变的SiGe或Ge层(20)形成，并且n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管中每一个的沟道长度方向都为<110>方向。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于包括：绝缘层；以及被形成于绝缘层上的、具有n沟道的n沟道MIS晶体管和具有p沟道的pMIS晶体管，其中，n沟道MIS晶体管的n沟道由在沟道长度方向上具有单轴拉伸应变的Si层形成，p沟道MIS晶体管的p沟道由在沟道长度方向上具有单轴压缩应变的SiGe或Ge层形成，并且n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管中每一个的沟道长度的方向都为<110>方向。