[发明专利]片内电流测量方法和半导体集成电路无效
| 申请号： | 200710199829.9 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101201388A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 大津贺一雄;山田哲也;长田健一;菅野雄介 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R19/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种片内电流测量方法和半导体集成电路，用于测量芯片在正常工作状态下的电路块的电流。该半导体集成电路包括：具有预定功能的电路块(C1)；能对上述电路块提供工作用电源的电源开关(PSW1)；以及根据上述电源开关被接通状态下的电源开关的端子间电压和电源开关的导通电阻，算出流入上述电路块的电流的电流测量电路(100)。根据上述电源开关被接通状态下的上述电源开关的端子间电压和上述电源开关的导通电阻，算出流入上述电路块的电流，从而能够测量芯片在正常工作状态下的电路块的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 测量方法 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路的片内电流(on-chip current)测量方法，该半导体集成电路包括具有预定功能的电路块、和能对上述电路块提供工作用电源的电源开关，该片内电流测量方法的特征在于：包括第一处理，算出上述电源开关被接通的状态下的上述电源开关的端子间电压；和第二处理，根据上述电源开关的端子间电压和上述电源开关的导通电阻，计算流入上述电路块的电流。
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