[发明专利]N沟道大功率半导体恒电流二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 200710200056.1 | 申请日： | 2007-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101005100A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘桥 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 5500*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种N沟道大功率半导体恒电流二极管及其制作方法，利用结型场效应管JFET作为小电流恒流源，向担任电流扩展的双极型晶体管提供恒定基极电流，经过双极型晶体管成比例(线性)放大(扩展)成为大恒定电流。本发明的特点是通过半导体器件结构的物理过程实现恒流特性，不是集成电路和电子模块(组件)的技术。本发明具有利用半导体物理特性、实现恒流电路的功能，而且结构简单，采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点，表现于现有二极管的一些技术特征，也可以作为恒电流电源直接驱动负载。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 大功率 半导体 电流 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种N沟道大功率半导体恒电流二极管制作方法，其特征在于：在N型半导体衬底(2)上扩散出一个P型半导体区域(6)和一个P型半导体区域(3)，在P型半导体区域(6)和P型半导体区域(3)之间形成N型半导体(4)作为N型沟道结型场效应管JFET；在N型半导体(4)沟道上扩散N+型半导体区域(7)，将P型半导体区域(3)、N+型半导体区域(7)、P型半导体区域(6)通过金属电极(8)互连，形成小电流恒流源；在P型半导体区域(3)上扩散出N+型半导体(5)，N+型半导体(5)连接金属电极(9)作为负极，N型半导体衬底(2)下面连接金属电极(1)作为正极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州大学，未经贵州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710200056.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种被动线性磁负刚度装置
- 下一篇：一种空气动力试验动能输出水制动系统
- 同类专利
- 专利分类
