[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制作方法无效
| 申请号： | 200710201125.0 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101350389A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 赖志铭 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600上海市松江区松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体发光元件包括一基底，一形成在基底上的多层磊晶膜结构，一第一型电极及一第二型电极；所述多层磊晶膜结构包括一第一型氮化物半导体层、氮化物半导体活性层及第二型氮化物半导体层，所述多层磊晶膜结构形成有一至少包括所述第二型半导体层及氮化物半导体活性层的平台结构，所述平台结构一顶面及与顶面相邻的侧面；第一及第二型电极分别与所述第一及第二型氮化物半导体层形成欧姆接触。其中，所述多层磊晶膜结构的晶体生长方向与其(0001)晶向相交，所述顶面及侧面为粗化表面。本发明还提供上述氮化物半导体发光元件的制作方法。本发明是经由设置多层磊晶膜结构的晶体生长方向来达成较低制作成本以及较高光萃取效率之目的。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光元件，其包括：一基底；一形成在所述基底上的多层磊晶膜结构，其包括沿远离所述基底的方向排列的第一型氮化物半导体层、氮化物半导体活性层及第二型氮化物半导体层，所述第一型氮化物半导体层与第二型氮化物半导体层具有相反的导电类型，所述多层磊晶膜结构形成有一平台结构，所述平台结构至少包括所述第二型半导体层及氮化物半导体活性层，所述平台结构具有一远离所述基底的顶面以及与顶面相邻的侧面，所述第一型半导体层形成有一远离所述基底的暴露面，所述侧面位于所述顶面与暴露面之间；一第一型电极，其位于所述暴露面上并与所述第一型氮化物半导体层形成欧姆接触；以及一第二型电极，其位于所述顶面上并与所述第二型氮化物半导体层形成欧姆接触；其特征在于：所述多层磊晶膜结构的晶体生长方向与其(0001)晶向相交，所述顶面及侧面为粗化表面。
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