[发明专利]镀膜方法无效
| 申请号： | 200710203468.0 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101469404A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 简士哲 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种镀膜方法，在镀膜过程中提供一个气体源和一个离子源，气体源用于镀膜过程中的化学反应，离子源用于发射离子，以利用离子轰击效应辅助镀膜，且至少在一次镀膜材料切换时的离子源强度小于镀膜过程中最大的离子源强度。上述镀膜方法中利用离子源与氧气的配合，增加了膜层附着性与致密性，又利用了离子源强度的变化，降低了膜层之间的应力作用，有效的防止了膜层的破裂和脱膜，提高了膜品质。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
【权利要求1】一种镀膜方法，在镀膜过程中提供一个气体源和一个离子源，气体源用于镀膜过程中的化学反应，离子源用于发射离子，以利用离子轰击效应辅助镀膜，其特征在于：至少在一次镀膜材料切换时的离子源强度小于镀膜过程中最大的离子源强度。
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