[发明专利]用于改善外部量子效率的LED纳米技术无效
| 申请号： | 200710300804.3 | 申请日： | 2007-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101252158A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡勇;褚宏深;刘纪美;郭浩中 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳创友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香港科*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于改善外部量子效率的LED纳米技术，尤其涉及利用该纳米技术在发光元件上形成二维图案的方法，其包含以下步骤：在发光元件的发光表面上形成第一基板；在第一基板上形成一个金属层；电化学阳极氧化处理此金属层，以形成多孔性金属氧化物；利用多孔性金属氧化物作为一个屏蔽，刻蚀第一基板；并去除多孔性金属氧化物，从而在此第一基板上形成二维图案。根据本发明披露的方法，可以提供制作成本低廉且生产效率更高的制作方法。此外，利用本发明披露的方法所制成的发光装置，可以改善量子效应，提高光取出(optical capture)效率，并改善出光方向的准直性(alignment)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 外部 量子 效率 led 纳米技术 | ||
【主权项】：
1.一种在发光元件上形成二维图案的方法，包含以下步骤：(a)在所述发光元件的发光表面上形成第一基板；(b)在所述第一基板上形成一个金属层；(c)用电化学阳极氧化处理所述金属层，以形成多孔性金属氧化物；(d)利用所述多孔性金属氧化物作为一层掩膜，刻蚀所述第一基板；和(e)去除所述多孔性金属氧化物，从而在所述第一基板上形成二维图案。
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