[发明专利]光刻系统、器件制造方法、定点数据优化方法及产生设备有效

专利信息
申请号: 200710300969.0 申请日: 2007-12-14
公开(公告)号: CN101206688A 公开(公告)日: 2008-06-25
发明(设计)人: 卡斯·塞格·鲁斯特;詹森·道格拉斯·赫因特斯汀尔;帕特克尔思·阿洛伊修斯·杰克布斯·提纳曼斯;温塞斯劳·A·塞布哈;罗纳德·P·奥尔布赖特;伯纳多·卡斯卓普;马丁内斯·亨卓克斯·亨卓克斯·胡克斯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王文生
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种光刻系统、一种器件制造方法、一种定点数据优化方法和一种生产设备。所述定点数据优化方法包括产生用于控制无掩模系统中的独立可控元件阵列的元件动作的优化的定点数据。所述优化基于器件结构和/或剂量图案的估计,所述估计可以利用一种或多种下列因素:投影系统的低通特性、照射系统的构造以及工艺窗口属性。
搜索关键词: 光刻 系统 器件 制造 方法 定点 数据 优化 产生 设备
【主权项】:
1.一种产生优化定点数据的方法,其中所述优化定点数据用于控制被配置用于调制无掩模光刻系统中的辐射束的独立可控元件阵列的元件动作,所述无掩模光刻系统具有被配置用于调节辐射束的照射系统以及被配置用于将经过调制的辐射束投影到衬底上的投影系统,所述方法包括步骤:a)获得起始定点数据;b)估计将起始定点数据应用到被配置用于调制辐射束的独立可控元件阵列上而得到的器件结构;c)将在步骤(b)中估计出的器件结构与待形成在衬底上的目标器件结构相比较、以确定器件结构误差;d)修改定点数据,并采用经过修改的定点数据代替起始定点数据、根据需要重复步骤(b)和(c),直到器件结构误差落到预定阈值以下为止;以及e)输出器件结构误差在预定阈值之下时的经过修改的定点数据作为优化的定点数据,由此基于经过修改的定点数据激励独立可控元件阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司,未经ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710300969.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top