[发明专利]磨料颗粒、抛光浆料及其制造方法有效
| 申请号： | 200710301620.9 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101255286A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 金大亨;洪锡敏;金容国;金东炫;徐明源;朴在勤;白云揆 | 申请（专利权）人： | K.C.科技股份有限公司;汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | C09C1/06 | 分类号： | C09C1/06;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 韩国京畿道安*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭示一种磨料颗粒、抛光浆料及其制造方法。前述抛光浆料用于STI CMP(浅槽隔离化学机械抛光)制程，其为制造256M(mega)D－RAM或更大的超高集成半导体(设计标准为小于或等于0.13μm)所必需，该抛光浆料可以较高移除速率对晶圆进行抛光，与氮化物相比而言，该抛光浆料具有优异的氧化物移除选择性。该抛光浆料可应用于制造超高集成半导体制程中所需的各种图案，因此可确保优异的移除速率、移除选择性和晶圆内不均匀性(within－wafer－nonuniformity，WIWNU)，其表明移除均匀性，并且可将微划痕的发生最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 磨料 颗粒 抛光 浆料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造浆料磨料颗粒的方法，其特征在于包括：制备前驱体材料；以及以至少两个或两个以上阶段煅烧所述前驱体材料。
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