[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板及其制造方法，其能够减小曝光掩模的使用次数从而减小工艺时间和工艺成本并且过度地蚀刻光刻胶图案之下的钝化薄膜从而易于执行光刻胶图案的剥离工艺。TFT阵列基板包括含有在基板上形成的一栅线、从栅线分离的一栅极、以及在栅线末端形成的一栅极焊盘的一栅线层，在栅线层之上形成的一栅极绝缘薄膜，在栅极上方的栅极绝缘薄膜之上形成的一半导体层，含有与栅线交叉的一数据线、在半导体层的相对侧形成的源极和漏极、以及在数据线末端形成的一数据焊盘的一数据线层，与漏极接触的一像素电极，与栅极焊盘和数据焊盘接触的第一和第二防氧化薄膜，以及在数据线层沉积的一至少双层钝化薄膜。所述至少双层钝化薄膜的最上层在不包括形成像素电极以及第一和第二防氧化薄膜的区域的剩余区域形成。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：一栅线层，包括在基板上形成的一栅线，从所述栅线分离的一栅极以及在所述栅线的末端形成的一栅极焊盘；在所述栅线层上形成的一栅极绝缘薄膜；在所述栅极上方的所述栅极绝缘薄膜上形成的一半导体层；一数据线层，包括与所述栅线交叉的数据线，在所述半导体层的相对侧形成的源极和漏极，以及在所述数据线末端形成的数据焊盘；与所述漏极接触的一像素电极；与所述栅极焊盘和所述数据焊盘接触的第一和第二防氧化薄膜；以及在所述数据线层上沉积的一至少双层钝化薄膜；其中所述至少双层钝化薄膜的最上层在不包括形成像素电极以及第一和第二防氧化薄膜的区域的剩余区域形成。