[发明专利]半导体器件的金属布线及其形成方法无效
| 申请号： | 200710301883.X | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101383336A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 金恩洙;郑哲谟;洪承希 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体金属布线及其形成方法，根据形成半导体器件的金属布线的方法，形成高度低于接触孔的接触塞，所述接触孔形成在层间绝缘层上，然后在接触塞和层间绝缘层上形成金属布线以完全地填充接触孔的内部，降低了工艺难度、确保了可重现性并改进了电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属 布线 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件的金属布线，包括:接触孔，所述接触孔形成在半导体衬底上的层间绝缘层中并暴露接合区；接触塞，所述接触塞形成在所述接触孔内部并具有低于所述层间绝缘层的高度；金属布线，所述金属布线形成在所述层间绝缘层上并填充所述接触塞顶部上的所述接触孔；和接合层，所述接合层形成在所述接触塞和金属布线之间。
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